L'Institut de Física i Maquinària Òptica de Changchun (CIPM), l'Acadèmia Xinesa de Ciències (CAS), ha informat que l'equip d'investigació sobre làsers de semiconductors d'alta potència del CIPM, sota el lideratge de l'acadèmic Wang Lijun i l'investigador Ning Yongqiang, ha dut a terme investigacions. sobre làsers semiconductors avançats d'amplada de línia estreta i tecnologies clau en els últims anys.
Recentment, l'investigador associat Chao Chen de l'equip va informar d'un làser semiconductor polaritzat linealment d'ample de línia estret de 852 nm basat en una estructura de retroalimentació òptica externa. L'estructura làser aconsegueix una alta polarització de línia, una sortida làser d'amplada de línia estreta de més de 30 dB de relació d'extinció de polarització i tan baixa com 2,58 kHz mitjançant la introducció d'un filtre de reixeta de Bragg birrefringent induït per làser de femtosegon i la integració amb un híbrid de correlació d'alta polarització. xips de guany de semiconductors utilitzant tècniques de retroalimentació selectiva en mode de polarització i bloqueig d'injecció.
Fig. (a) Característiques espectrals d'excitació del làser, (b) Característiques de variació de la relació d'extinció de la polarització amb el corrent d'injecció (l'inserció mostra la potència del làser mesurada per diferents angles de rotació de la placa d'ona del làser), (c) espectre de potència de freqüència de batec i la seva corba d'ajust de l'amplada de línia làser mesurada per auto-absorció retardada en el temps, i (d) simulació numèrica de l'amplada de línia de Lorentzia i resultats de les proves.
El làser es pot utilitzar com a font de llum potencial bombejada atòmicament per a sistemes de mesura de precisió quàntica i, basant-se en investigacions anteriors en làsers d'amplada de línia estreta i resistents a la radiació, també promet ser utilitzat en sistemes experimentals quàntics d'àtoms freds en entorns espacials. fletxes tant a bord com a bord.
