La 25a Fira Internacional d'alta tecnologia de la Xina va començar ahir i s'han donat a conèixer els èxits innovadors de les aplicacions tecnològiques en diverses indústries. La Universitat Tecnològica de Shenzhen, també s'exhibeix un gran nombre de productes de "ciència i tecnologia negra" d'alta precisió, demostrant completament que els professors i estudiants de l'escola se centren en intel·ligència artificial, tecnologia de nous materials, salut mèdica intel·ligent, Internet de les coses, emmagatzematge d'energia. bateries i altres àrees clau de la indústria, per reforçar la cooperació entre la indústria, l'acadèmia i la recerca, i per promoure els resultats fructífers de la innovació científica i tecnològica.
El 16 de novembre, Ruan Shuangchen, president de la Universitat de Tecnologia de Shenzhen, va venir a l'estand de l'escola, va observar els resultats de les exposicions de l'escola una per una i va preguntar acuradament sobre l'estat actual de la investigació del projecte, els aspectes més destacats de la innovació tecnològica i la seva aplicació. , va animar els investigadors a fer esforços persistents per accelerar la industrialització dels resultats de la investigació científica i plantejar requisits més alts per a la transformació i l'aplicació dels resultats d'alta i nova tecnologia de l'escola.
At the same time, new good news came from the university's scientific research work. Recently, the national key research and development project team led by Prof. Ruan Shuangchen of Shenzhen University of Technology, under the support of the project of "Crystal Thin Wafer Processing and Preparation of New Generation of Gain Devices" of the National Key Research and Development Program of the Ministry of Science and Technology, has made important progress in research on the key scientific issues of crystal thin wafer processing and preparation of new generation of gain devices, and is the first one to realize the breakthrough of We are the first one in China to realize the crystal package of Yb:YAG wafer with diameter >20 mm i dissenyeu el 48-sistema de bombament de la classe de quilowatts.
Els làsers ultraràpides d'alta potència s'utilitzen en la fabricació avançada, la informació, la microelectrònica, la medicina, l'energia, l'exèrcit i altres camps, i la investigació científica i tecnològica relacionada és essencial per promoure el desenvolupament d'estratègies nacionals. El dispositiu de guany làser és el material bàsic bàsic del làser ultraràpid d'alta potència, que ha estat molt preocupat per tots els països del món. Els làsers de pel·lícula prima amb una qualitat de feix excel·lent i una alta eficiència de conversió òptica a òptica s'han utilitzat àmpliament en molts camps, com ara la fabricació industrial i la investigació científica bàsica. Tanmateix, la manca de tecnologies bàsiques clau, com ara el processament de precisió de cristalls de pel·lícula prima, el disseny i l'embalatge de sistemes de dissipador de calor i la preparació de dispositius de guany, ha limitat seriosament el desenvolupament posterior de làsers de pel·lícula prima d'alta potència a la Xina.
Amb el laboratori clau de tecnologia avançada de fabricació de precisió òptica per a les universitats de Guangdong, el laboratori clau d'enginyeria làser de Shenzhen, l'Institut Xino-alemany de fabricació intel·ligent i la Facultat d'Enginyeria Física, la Universitat de Tecnologia de Shenzhen ha dut a terme investigacions sobre flocs prims. tecnologia làser des del 2021, i va adoptar els cristalls de flocs prims autodesenvolupats amb un diàmetre de 12 mm i la tecnologia d'amplificació regenerativa a principis de 2022 per realitzar l'amplificació regenerativa d'alta potència de la cavitat de ressonància mitjançant la compensació de dispersió cromàtica i el control. es realitza la compensació de dispersió i l'efecte no lineal de la cavitat ressonant d'amplificació regenerativa d'alta potència, la sortida làser d'energia d'un pols únic> 500μJ, ample de pols <7,5 ps, potència mitjana> 200 W, especialment l'excel·lent rendiment de la qualitat del feix M2<1,1 i eficiència de conversió òptica a òptica> 50%, que estableix una base sòlida per a la conversió eficient de freqüència no lineal fora de la cavitat.
The project team adopted wavelength-locked 969nm "zero-phonon line" pumping to realize the highest continuous output power >1300W, la màxima eficiència de conversió òptica a òptica de gairebé el 80%, i el seu excel·lent rendiment ha establert una base important per a la investigació de la potència mitjana de la classe de quilowatts i els làsers de pel·lícula prima ultra ràpida de 100 mJ.
(a) Bombament de 1000W@969nm (b) Bombament de 2000W@969nm
A través dels projectes clau de R+D del Ministeri de Ciència i Tecnologia, l'equip del projecte està orientat a la seguretat industrial nacional i les principals necessitats de construcció d'enginyeria, avenços en l'aplicació de materials i dispositius làser d'alta potència, tecnologies bàsiques clau, avenços en la cadena d'innovació. , avenços en la preparació estratègica de cristalls làser d'alta potència i aplicació de tecnologies clau comunes a cada enllaç, per millorar els materials i dispositius de cristall làser bàsics de la Xina en l'àmbit de la informació, l'energia, el transport, els equips de gamma alta i altres àrees de capacitats de control independents. , per servir la nova energia, l'electrònica 3C i els equips de gamma alta. Millorarà la capacitat de control independent dels materials i dispositius de cristall làser bàsics en els camps de la informació, l'energia, el transport i els equips de gamma alta a la Xina, i servirà per al desenvolupament de noves energies, electrònica 3C, fabricació d'alta gamma i altres - indústries tecnològiques.
