Xi'an Lixin Optoelectronics llança una nova generació de xips làser de semiconductors d'alta potència de 1470 nm

El 30 de gener, el microblogging oficial de Xi'an Lixin Optoelectronics Technology Co., Ltd (d'ara endavant, "Lixin Optoelectronics") va informar que l'empresa va llançar un xip làser semiconductor de 1470 nm, la potència de sortida de 3W, el producte té una alta eficiència de conversió , alta fiabilitat, estabilitat del mode, es pot personalitzar, etc., les principals aplicacions en biomèdica, equips làser, bellesa, investigació científica i altres camps. , cosmetologia, investigació científica i altres camps.
El xip làser semiconductor de 1470 nm llançat aquesta vegada té dos avantatges principals del producte:
1, el nou model de xip de 1470 nm LC-UMC-95-1470-TE{-3-2.0-D1, potència de sortida de 3W, amplada de la tira d'emissió de llum de 95 μm, longitud de cavitat de 2 mm, eficiència de conversió fotoelèctrica del 25%. La vida del xip a l'actual 12A, la temperatura de l'aigua de 30 graus, les condicions d'envelliment de 1000H sense degradació significativa, el rendiment després de la comparació amb els competidors nacionals i estrangers, ha assolit el nivell líder nacional.
2, el xip làser de la sèrie LC-UMC-14XX està dissenyat i produït per Lixin Optoelectronics, el control del rang de tolerància de longitud d'ona és inferior a 10 nm, la potència de sortida límit de 4 W.
Segons la introducció, el producte ha aconseguit tres grans avenços tecnològics:
1, des del disseny del xip, creixement del material epitaxial, procés de preparació, verificació del rendiment i altres aspectes de la fabricació independent, per aconseguir des del material epitaxial fins al xip completament independent i controlable;.
2,Ampliar la línia de productes de l'empresa i augmentar el disseny dels productes de la sèrie LC-14XX.
3. El xip de 1470 nm posa les bases per a la disposició posterior dels productes de la sèrie de fosfur d'indi.
Xi'an Lixin Optoelectronics compta amb un equip tècnic d'experts nacionals i estrangers i una línia de producció avançada de fabricació de xips làser de semiconductors compostos, principalment dedicada a la investigació de làsers semiconductors d'alta potència basats en arsenur de gal·li i fosfur d'indi. i desenvolupament, producció i vendes, i per oferir serveis tècnics relacionats. L'empresa ha construït una plataforma de procés completa i una línia de producció massiva que cobreix el disseny de xips, el creixement epitaxial, la fabricació de xips, l'embalatge de dispositius, les proves de fiabilitat, etc., que és totalment independent i controlable. Els productes cobreixen la banda de 755 nm-1550nm, amb una potència que va des dels mil·liwatts fins als quilowatts, i s'utilitzen principalment en el processament industrial, la comunicació de fibra òptica, la visualització làser, la cosmetologia mèdica, la investigació científica, la impressió, la il·luminació i altres camps.