La memòria RAM magnètica ultra ràpida impulsada per làser arribarà aviat!

Els científics han descobert un nou mecanisme per canviar l'estat magnètic dels materials sòlids enfocant un raig làser. S'espera que aquest descobriment s'apliqui a la memòria informàtica d'alta velocitat en el futur, van dir els investigadors.
Per descriure la relació entre l'amplitud i la freqüència del camp magnètic òptic i les propietats d'absorció d'energia dels materials magnètics, els científics han construït acuradament una nova equació. Les troballes es van publicar el 3 de gener a la revista Physical Review Research.
Tot i que el descobriment està arrelat en el camp de la "magneto-òptica", representa un avenç completament nou, perquè els científics anteriorment desconeixien com el component magnètic de les ones de llum que oscil·len ràpidament podia controlar els imants.
A la memòria de l'ordinador, els electroimants en miniatura estan magnetitzats per una tensió, creant un estat binari "encès" o "apagat" que codifica les dades perquè el processador les llegeixi i les reinterpreti com a 1 o 0.
La forma més comuna de memòria computacional, com la memòria d'accés aleatori dinàmic (DRAM) en ordinadors portàtils o telèfons mòbils, és inestable i perd dades quan s'apaga l'alimentació, però té un disseny senzill, fet de materials comuns, té un error baix. taxa i és fàcil de detectar i reparar.
Segons els informes, el nou descobriment s'adapta millor a la tecnologia de memòria d'accés aleatori magnetoresistiva (MRAM), un tipus de memòria no volàtil que s'utilitza més habitualment en naus espacials, així com en aplicacions militars i industrials.
Poc se sap de les interaccions entre els materials magnètics i la radiació quan es troben en un estat de no equilibri, una àrea que s'entrellaça amb les estranyes lleis de la mecànica quàntica, que s'està utilitzant per construir ordinadors quàntics.
"Tenim una equació molt bàsica per descriure aquesta interacció. Això ens ha impulsat a donar una nova mirada a l'enregistrament optomagnètic i ens ha portat a fabricar dispositius d'emmagatzematge optomagnètic densos, eficients energèticament i econòmics, tot i que aquests dispositius no ho fan. existeixen actualment". va dir Capua.
Segons Capua, els intents anteriors d'utilitzar el component magnètic dels raigs de llum per capgirar els trepants magnètics d'aquesta manera no han tingut un èxit significatiu. Tanmateix, creu que les noves equacions ajudaran els investigadors a integrar amb èxit aquest mecanisme.
A més, prediu que en un futur llunyà, aquesta tecnologia pot permetre que els components MRAM siguin més ràpids i eficients que les cèl·lules RAM d'última generació actuals.
El temps de cicle òptic de la tecnologia (és a dir, el temps que triga una ona electromagnètica òptica a acabar d'oscil·lar) podria ser un milió de vegades més ràpid que la memòria convencional. El temps de cicle elèctric s'executa a l'escala de nanosegons (1 segon és 1.000 milions de nanosegons), mentre que un feix de llum típic s'executa a l'escala de picosegons (1 segon és 1 bilió de picoseguons).
També hi ha el potencial d'aplicacions futures d'aquesta tecnologia a la memòria quàntica en ordinadors quàntics, on un feix de llum podria fixar un bit magnètic en un estat que no és ni 0 ni 1, sinó una superposició dels dos estats. igual que un bit quàntic en un ordinador quàntic. Tot i que aquest encara és un objectiu llunyà en l'enginyeria de precisió actual, Capua creu que el descobriment del seu equip podria obrir el camí per a futures aplicacions d'aquesta tecnologia.
La tecnologia també podria conduir a un millor control sobre la intensitat i la durada del feix i el seu efecte sobre el sistema d'emmagatzematge, donant lloc a un estalvi energètic en els sistemes d'emmagatzematge digital. "Ajustant la durada i l'energia del feix de llum, es pot reduir la potència d'escriptura. Evidentment, quan el dispositiu està inactiu, ja que la memòria magnètica no és volàtil, no consumeix cap energia".